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GaN半导体功率器件TCAD仿真建模与终端研究

2025年12月9日13：10-13：40

黄福平 博士

理学馆IC时光咖啡厅

报告题目：GaN半导体功率器件TCAD仿真建模与终端研究报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月9日13：10-13：40报告人：黄福平 博士邀请人：孙博 博士内容简介：功率器件在电力、机械、交通和新能源等技术行业具有巨大的市场潜力。与传统的硅（Si）材料相比，氮化镓（GaN）半导体具有更宽的带隙、更高的饱和漂移速度、更大的临界电场、更高的电子迁移率和更高的热导率等突出特性。这些优异的性能使 GaN 功率器件在高压...

面向多感知应用场景的人造神经与仿生系统

2025年12月9日12：40-13：10

倪尧

理学馆IC时光咖啡厅

报告题目：面向多感知应用场景的人造神经与仿生系统报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月9日12：40-13：10报告人：倪尧 博士邀请人：孙博 博士内容简介：本报告以“感知-融合-响应”一体化为核心愿景，提出面向多模态场景的人造神经与仿生系统框架，旨在突破传统单一模态、分立模块导致的延迟高、能耗大、适配差等瓶颈。通过将人造神经节点设计为兼具计算、存储与通信功能的时空可塑单元，使触觉、温觉、痛觉乃至...

学术报告：RFEH射频能量收集系统

ALD工艺制备高性能氧化物薄膜晶体管的研究

2025年11月17日9:00--11:00

韩德栋

理学馆213

报告地点：理学馆213报告时间：2025年11月17日9:00--11:00报告人：韩德栋邀请人：刘远内容简介：氧化物薄膜晶体管的研究已经逐渐成为新型显示、集成电路等半导体技术领域的热门研究话题。以铟镓锌氧IGZO为代表的氧化物薄膜晶体管因具有低泄漏电流、高开关比、高迁移率以及低工艺制备温度等诸多优点得到国内外研究人员的广泛研究。近年来，我们开展了一系列基于原子层淀积ALD工艺研发制备高性能氧化物薄膜晶体管的工作。原子层淀...

学术报告：从通信芯片的发展浅谈中国的芯希望和双创思维

2025年10月16日16：00-17：00

林福江教授

理学馆学术报告厅

报告地点：理学馆学术报告厅报告时间：2025年10月16日16：00-17：00报告人：林福江教授摘要：到目前为止，我们大多数人只了解无线移动通信，实际上通信的领域非常广泛，包括无线通信、有线通信、卫星通信、水下通信，以及数字中心的机间和版间等。随着半导体技术的持续快速发展和大数据AI时代的到来，海陆空一体化已经提上日程。最近，5G和数据中心的快速布局推动了高速光模块的迅猛发展，其中光通信中的集成电路（电芯片）和大...

学术报告：大算力时代下的高速光互连芯片的研究进展与挑战

2025年10月16日上午10：45-11：45

潘权教授

理学馆二楼学术报告厅224

2025年9月20日至21日，由教育部高等学校电子信息类专业教学指导委员会主办的第九届全国高等学校电子信息类专业青年教师授课竞赛决赛暨专业建设研讨会在长春理工大学隆重举行。本届大赛立足新时代高等教育改革方向，紧扣“立德树人”根本任务，以“课程思政”为引领，注重人工智能与教学创新的深度融合。赛事覆盖全国四大赛区，共吸引来自28个省区市、197所高校的696名教师同台竞技。在本届竞赛中，youjizz 青年教师表现优异。杜志侠...

学术报告：离电传感与神经形态电子技术

2025年10月13日（周一）14：00

常煜 博士、龚江东 博士

理学馆213学术交流室

报告地点：理学馆213学术交流室报告时间：2025年10月13日（周一）14：00报告人：常煜 博士、龚江东 博士邀请人：倪尧 博士内容简介：离电传感作为一种新兴的柔性触觉传感器件，通过离子-电子双电层超电容效应，可开发出高透明、高灵敏柔性传感器件。常煜研究员首创一体式离电方案，将电池自身电解液变为传感界面，无需封装即可在腐蚀环境下稳定监测Pa级膨胀力，实现锂枝晶早期预警，循环400周仍保持精度，为智能电池、穿戴健康...

学术报告：互补性氧化物薄膜晶体管及三维集成初探

2025年6月27日星期五 9：30-10：30

廖蕾 教授

理学馆213学术报告厅

报告地点：理学馆213学术报告厅报告时间：2025年6月27日星期五 9：30-10：30报告人：廖蕾 教授邀请人：刘远 教授内容简介：氧化物薄膜晶体管（TFT）具有较高的载流子迁移率和极低的关态电流，在新型显示技术中有着极大的应用前景。但是，其器件迁移率与稳定性（尤其是光照下的负偏压稳定性，NBIS）之间存在严重的制约关系以及P型氧化物的缺乏极大的限制了氧化物TFT的进一步发展。因此，我们探究了不同元素掺杂对氧化物TFT电学性...

学术报告：氮化镓增强型HEMT器件制备与测试技术

2025年6月27日，10:00~11:30

黄火林 教授/学科带头人

理学馆213学术交流室

报告地点： 理学馆213学术交流室报告时间：2025年6月27日，10:00~11:30报告人：黄火林 教授/学科带头人内容简介： 氮化镓（GaN）是宽禁带半导体的优秀代表，特别是其异质结组合赋予该类半导体更高的性能上限和更广的应用空间。氮化镓功率电子器件先进性能前期已经得到充分验证，目前成本也已经逼近硅产品。未来将在材料和器件性能的低压高频和高压大功率方向迎来技术挑战，而在产业界在市场竞争过程将越发激烈。本次报告将介绍...

计算光刻主题学术报告

2025年6月19日（周四） 10：30-11：30

孟晓东副总裁、马星宇研究员

理学馆二楼学术报告厅

报告地点：理学馆二楼学术报告厅报告时间：2025年6月19日（周四） 10：30-11：30报告人：孟晓东副总裁、马星宇研究员邀请人：蔡述庭 教授学术报告题目一：制造EDA和集成电路产业内容简介：集成电路产业、EDA（电子设计自动化）与制造EDA三者构成紧密依存的技术生态链，其中制造EDA聚焦芯片生产环节的技术优化，是连接设计与制造的桥梁，直接决定芯片的量产效率，是国产替代中的最薄弱环节。本报告初步介绍制造EDA在半导体产业中...